Formation of a p-type quantum dot at the end of an n-type CNT

Dalam jurnal ini dijelaskan tentang transport elektron pada n-type dan p-type CNT. Dengan menggunakan field effect doping. hasilnya bahwa pada daerah n-type, terdapat p-type diujung CNT karena doping oleh metal contact. Hasilnya terbentuk p-n junction dekat contacts (metal), terbentuk Quantum dot p-type antara juntion dan contact

Substrate and Process Interplay During Synthesis of milimeter MWNTs Arrays

faktor-faktor yang mempengaruhi penumbuhan mm Long MWNTs yang ditumbuhkan melalui metode CVD dengan besi (Fe) sebagai katalis yang ditumbuhkan diatas substrate Si/SiO2 dan Si/SiO2/Al2O3 dengan e-beam Evaporation yaitu:

1. Suhu Annealing dari substrate: Selama pemanasan partikel Fe menjadi lebih kecil (rata-rata=40nm) sehingga terjadi re-crystallization dan Oxidation pada lapisan Fe pada temperatur yg berbeda-beda sehingga mempengaruhi ukuran panjang dari CNT arrays. CNT akan mencapai 1.5 mm pada saat Suhu anneal yaitu 450(C) dan akan turun menjadi 0.5 mm pada suhu 600(C)
2. Jenis Substrate: Substrate(multilayer) yang digunakan yaitu AL2O3 dan SiO2.Al2O3 akan memperpanjang CNT dibanding SiO2 hal ini karena micro-roughness dari Al2O3 mencegah pengumpulan(penyatuan) dr nanopartikel katalis selama penumbuhan pada temperatur tinggi.
3. Area substrate: Area substrate yang kecil menghasilkan CNT lebih panjang karena dengan substrate yang kecil akses dari atom carbon dari phase gas ke zona penumbuhan menjadi lebih mudah.Dgn area lebih kecil dari 0.25 cm2 didapat panjang CNT antara 2 s/d 2.5 mm
4. Uap Air: Uap air berperan sebagai oksidan untuk amorphous carbon yang ditumbuhkan diatas katalis selama penumbuhan sehingga membloking penumbuhannya. Berdasarkan konsentrasi, air dapat membahayakan tidak hanya amorphous Carbon tetapi juga graphitic Carbon dan katalis.Air didapat dengan mengalirkan gas Ar dalam suatu bubbler dengan flow rate yang berbeda-beda. Dari hasil yang didapatkan Flow rate 200 SCCM akan menghasilkan 1.5 mm CNT dan akan berkurang jika flowratenya lebih dari 200 SCCM.

Diskusi+Pertanyaan

list pertanyaan yg membingungkan...:P
1. Definisi P-Type dan N-Type pada CNT itu apa?
2. CNT bisa didoping pada bagian apa?
3. Elektron mengalir pada CNT dibagian mana? ( pada dinding ato ruang tube)
4. Ruang dalam Tube isinya apa?
5. Kita menganggap CNT itu sebagai solid state atau single tube?

NB: bg setiap member yang mengerti harap dijawab lewat comment( jangan lupa cantumkan sumber)

Blog Jurnal Harian CNT

13 Maret 2007:

Carbon Nanotubes and Nanotube Transistors (ECE497NC Lecture 14)
- History of Carbon Nanotube
- Carbon nanotube properties (electrical, mechanical and thermal)
- P-type and N-type CNT

15 Maret 2007 :

Solar Cell (from Wikipedia)
- History of Solar Cell
- Theory behind Solar Cell
- Photovoltaic effect (in silicon, photon energy > band gap è electron-holes pairs)

Electronics and Optoelectronics with Carbon Nanotubes

- CNT semiconductor type has bandgap in the range of 1 eV (Si è 0.7 eV)

- SWCNT is one dimensional system (two mode of propagation : forward and backward)

- CNTFET is ambipolar (conduct electron when positive bias applied and conduct holes when negative bias applied)

- still continued...

Selamat Datang di NDRG Universitas Indonesia

Nano Device Research Group merupakan riset grup yang bergerak di bidang nano science dan nano technology terutama yang terkait dengan aplikasinya di bidang electronics device.
NDRG blog ini merupakan media bagi member NDRG untuk menginformasikan segala aktifitasnya terkait dengan riset grup.
Semoga hadirnya blog ini dapat menjadi media untuk tumbuh dan berkembangnya riset di bidang nano device khususnya di Universitas Indonesia.